• head_banner_01

405nm 160mW coaxial pake MM Dyòd lazè

Deskripsyon kout:

Lazè semiconductor 405nm-160mW a se yon pwodwi ofisyèl nan BWT, ak BWT gen dwa pwopriyete entelektyèl konplètman endepandan pou sa a kalite pwodwi.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Karakteristik pwodwi

Lazè semiconductor 405nm-160mW a se yon pwodwi ofisyèl nan BWT, ak BWT gen dwa pwopriyete entelektyèl konplètman endepandan pou sa a kalite pwodwi.

BWT gen teknoloji anbalaj ki gen matirite ak kapasite pwodiksyon gwo-echèl, ki ka asire konsistans nan pwodwi pakèt.Avèk fini baz pwodiksyon otomatik Tianjin an 2021, kapasite pwodiksyon an pral double, ki satisfè tout kondisyon endistri enprime a pou ti gwosè, gwo klète ak pwodiksyon an mas lazè.

Karakteristik prensipal

Longèdonn: 405nm
Sòti pouvwa: 160mW
Dyamèt nwayo fib: 40μm
Ouverture nimerik fib optik: 0.22 NA
Aplikasyon:
CTP

Enstriksyon pou itilize

- Sèvi ak kouran konstan kouran pou evite vag kouran pandan operasyon an.
- Dyòd lazè dwe itilize selon espesifikasyon yo.
- Dyòd lazè dwe travay ak bon refwadisman.
- Tanperati operasyon varye ant 15 ℃ ak 35 ℃.
- Tanperati depo varye ant -20 ℃ ak + 70 ℃.

Espesifikasyon (25 ℃)

Senbòl

Inite

K405E03CN-0.160W

Minimòm

Tipik

Maksimòm

Done optik(1)

CW Sorti pouvwa

PO

mW

160

-

-

Longèdonn Sant(2)

lc

nm

405±5

Lajè espektral (FWHM)

△l

nm

-

4

-

Chanjman longèdonn ak Tanperati

△l/△T

nm/℃

-

0.3

-

Done elektrik

Efikasite elektrik-optik

PE

%

20

-

-

Papòt aktyèl

Ith

mA

-

30

-

Fonksyone aktyèl

Iop

mA

-

-

150

Fonksyone Voltage

Vop

V

-

-

5.5

Efikasite pant

η

W/A

-

1.4

-

Done fib

Dyamèt Nwayo

Dnwayo

μm

-

40

-

Ouverture nimerik

NA

-

-

0.22

-

Konektè

-

-

FC Ferrule

Lòt moun

ESD

Vesd

V

-

-

500

Tanperati Depo(2)

Tst

-20

-

70

Tanperati soude plon

Tls

-

-

260

Tan soudaj plon

t

sec

-

-

10

Tanperati ka opere(3)

Top

15

-

35

Imidite relatif

RH

%

15

-

75


  • Previous:
  • Pwochen:

  • Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou

    Ki gen rapòPWODWI